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研究報告第47号-002

ページID:0122522 掲載日:2016年3月23日更新 印刷ページ表示

キクの突然変異苗を用いた低温伸長性系統選抜のための涼温培養法の実証

著者:浅見逸夫1)・辻 孝子2)・三宅律幸3)

摘要:放射線照射によって突然変異を誘発させた多数のキク培養苗の中から、低温伸長性を持つ系統を培養中に選抜する方法を実証するため、以下の試験を行った。
1 炭素イオンビームを照射した多数の培養苗を通常の温度より10℃低い15℃の涼温条件下で培養し、茎伸長の優れた二次側枝7本を一次選抜した。
2 一次選抜した二次側枝から得た合計28本の三次側枝を、冬季に暖房温度を12℃に低く設定した温室内で栽培し、伸長の良い13本を二次選抜した。
3 翌年の冬季に、再び暖房温度を12℃に設定した温室内で二次選抜した13本から得た13系統を栽培したところ、8系統が低温伸長性を保持していた。最終的に低温伸長性が優れ、かつ奇形花発生程度の低い2系統を三次選抜した。
 以上の結果から、1年中いつの時期でも実施できる培養時の選抜により、育種年数の短縮と、栽培労力の削減が実証できた。

キーワード:キク、組織培養苗、涼温選抜、低温伸長性、突然変異、イオンビーム


1)環境基盤研究部(現農業大学校) 2)環境基盤研究部(現海部農林水産事務所) 3)環境基盤研究部

 

全文ダウンロードキクの突然変異苗を用いた低温伸長性系統選抜のための涼温培養法の実証 [PDFファイル/330KB]

 

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